位于美國德州的Sirific Wireless公司聲稱,它能夠將面向3G手機的HSDPA、WCDMA和寬帶EDGE/GPRS收發器等所有功能集成在一個7×7mm的封裝中。雖然3G手機的單芯片射頻/中頻CMOS實現方案之爭近年來幾經曲折,已經達到硅鍺(SiGe)和III-V工藝階段,但是Sirific Wireless卻宣稱,其SW3200收發器較競爭對手相比能夠處理更多功能。

Sirific面臨的最直接競爭對手是英飛凌公司的PMB6272/5701 CMOS對,后者雖不屬于增強型GPRS(EDGE),但卻能處理HSDPA 和 WCDMA的發射和接收問題。Sirific公司的CEO Michael Hogan大膽摒棄了高通公司針對雙頻HSDPA的MSM6275實現方案,該方案目前在PCB的兩面共采用了十幾個元件。

“降低CMOS中RF的成本有兩種基本方案。一種方案的支持者堅持使用一種成熟的CMOS工藝,以降低單獨元件的成本,這種方法正被引入到手機生產商中。”Hogan介紹,“而我們則堅持盡可能地使用最具挑戰性的工藝技術,并使包括濾波器和鎖相環(PLL)在內的大部分模擬塊數字化,以便更快實現單芯片RF。”

因此,雖然現在Sirific收發器采用臺積電的微米工藝來實現,但是該公司并不打算長期如此。其Nexus III系列的最后階段轉向了65納米工藝,目的就是將在較大工藝特征尺寸下的CMOS開關噪聲及類似問題最小化。Nexus III系列的實現基于該公司CTO及創始者Tajinder Manku的研究成果。Manku設計了一種數字直接轉換多模接收器以及多模發射器。

Hogan提到,盡管Manku原本擁有一些獨特的有關基帶實現的創意,但他很快意識到在這個領域,幾乎沒有空間讓Sirific與高通及其它基帶處理器巨頭相抗衡。RF則另當別論。

Hogan表示,像Silicon Labs公司這樣的開發商雖然將注意力集中在收發器上,但是多年來一直強調CMOS技術。其它眾多的開發商,包括瑞薩、Sequoia、飛利浦和飛思卡爾在內,已經將SiGe視為更有前景的單芯片收發器方案,但這卻是Sirific公司所摒棄的策略。Hogan介紹:“在認定極化對功耗、通話時間或其它對手機設計人員而言很重要的因素都沒有任何作用之后,設計人員也拒絕了有利于傳統線性收發器的極性環設計。”SW3200收發器能夠處理5個HSDPA 和WCDMA頻帶,其中HSDPA Category 9可達10.2 Mbps的速率。該芯片支持4個GSM 和EDGE頻帶,包括E-GPRS Class 12。由于認為數字化的低中頻無法正常工作,Sirific專門設計了一種直接轉換架構。

隨著該公司向65納米轉移,直接數字IQ調制設計潛力將為單芯片器件中的基帶集成提供第一個可能性。但這存在一個市場驅動的問題。Hogan認為,那些要求極為苛刻的3G功能仍然需要確保單獨的基帶和RF器件,然而眾多二線手機制造商或許希望在單一封裝下實現3G功能的最小化,正是這個推動了結合基帶和RF的單芯片CMOS設計。從這點出發,Sirific公司將考慮向大型廠商授權其挑戰性較小的設計,不過Hogan強調,該公司從未把自己局限于僅僅授權RF IP。

Sirific公司的銷售及營銷副總裁 Kiran Konanur稱,以65納米工藝制造的數字化模塊將允許該公司去考慮一些著重于頻譜捷變(spectrum agility)等功能的衍生技術。

作者:衛玲