內存IP特性化與電路仿真軟件廠商萊智科技股份有限公司近日宣布,Dongbu HiTek已經采用萊智科技的CharFlo- Memory!與MSIM電路仿真器,以獲得嵌入式內存對象模型特性化的最佳表現與硅制良率。萊智科技的內存智財特性化工具組可根據布局萃取電路后含電阻及電容的仿真資料,在客戶提供之內存編譯器不同PVT(工藝,電壓,溫度)狀況下,產生精確的內存對象模型。Dongbu HiTek便是選擇采用萊智科技的CharFlo- Memory!工具組做為他們內存特性化高品質時程與功率模型的標準解決方案。

Dr. Taeksoo Kim, Executive VP at at Dongbu HiTek表示:在現今的系統單芯片設計中,嵌入式內存不但占用芯片里的大塊面積,同時也是硅制成功與否的關鍵因素；內存對象模型的精確度對達成系統單芯片設計高功效與高良率的影響至為重要。因此我們選擇采用萊智科技內存IP特性化工具組CharFlo-Memory!,產生客戶內存編譯器的芯片對象模型,萊智科技的CharFlo- Memory!能幫助我們在不同客制化的PVT(工藝,電壓,溫度)狀況下,取得精確的模型資源庫模型。另外,也同時采用萊智科技高精確度的MSIM電路仿真器工具,也幫助我們在特性化過程中,巨幅提升數據處理量與訊息的正確度。”

使用CharFlo-Memory!工具組可防止由于設定與持續時間不正確的模型所產生短時脈沖波干擾與不定穩態等信賴度問題；特別在感測放大器讀取循環的輸入值可能還小于噪聲邊限(e.g. 100mv.)的情況下,更容易造成錯誤的資料輸出值。這類問題通常出自PVT(工藝,電壓,溫度)的變化,以及在低功率、高效率的芯片設計中。

萊智科技總裁兼執行長魏游邦表示:“嵌入式內存模型的品質,無論對于深次微米硅制產的成功或納米系統芯片設計,都是至為攸關的影響。對深層次微米與納米系統單芯片設計的硅制成功影響相當重要。采用萊智科技CharFlo- Memory!工具組,Dongbu HiTek于內存再特性化與各種客制化的PVT(工藝,電壓,溫度)驗證,皆能獲得領先解決方案。我們很高興經由與Dongbu HiTek密切合作的機會,貢獻己力于協助客戶設計出兼具高正確度與高處理量的完美系統芯片。”