新創(chuàng)公司Novocell半導(dǎo)體公司推出首個(gè)產(chǎn)品:一款I(lǐng)P存儲(chǔ)核。Novocell公司表示,這一名為NovoBlox OTP Memory IP的新品可以不需進(jìn)行任何特別處理或后處理而嵌入到任何標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS設(shè)備中,能在晶片上、電路中甚至在封裝中完成編程。

NovoBlox在從0.5到90納米的各種CMOS技術(shù)上都擁有很強(qiáng)的實(shí)力,可以處理65納米及以上的技術(shù)。其授權(quán)費(fèi)加單位版權(quán)共計(jì)6萬(wàn)美元。NovoBlox有兩種結(jié)構(gòu):ROM和串行。ROM結(jié)構(gòu)最適合基于處理器的系統(tǒng),而串行結(jié)構(gòu)則帶有維修輸出(maintained output)和一個(gè)串行編程接口,使之成為更換保險(xiǎn)絲的理想選擇。

Novocell公司副總裁兼COO Charles Buenzli說(shuō):“NovoBlox SmartBit單元可完全在內(nèi)存單元內(nèi)部產(chǎn)生并限定擊穿電壓。這使得未編程的單元具有固有的過(guò)程穩(wěn)定性,而只有編程過(guò)的單元才具有高電壓,二者結(jié)合成一個(gè)高度可靠的內(nèi)存。”