萊智科技股份有限公司日前宣布,LSI Logic已經采用萊智科技的CharFlo- Memory!與MSIM電路仿真器,進行下一代SRAM、Register File與ROM編譯器的內存對象模型特性化。基于布局電路萃取與電容、電阻信息,萊智科技的CharFlo- Memory!工具組可以在不同PVT(工藝,電壓,溫度)狀況下進行嵌入式內存的質量驗證。

LSI Logic公司定制解決方案部資深工程總監Shiva Ramesh表示:“我們顧客的系統級芯片設計要求嵌入式內存高質量的時程與功率模型,以達到最佳表現及正確、實時的硅制成功。萊智科技的CharFlo- Memory!幫助我們可以極為可靠地進行緩存編譯器與自行開發定制內存特性化過程的驗證。我們使用萊智科技優化的技術幫助正確標定最適設定與持續時間,免除短時釧沖波干擾,與排除不定穩態,保持信號完整性。”

萊智科技與LSI共同合作,將CharFlo- Memory!工具組成功地用在LSI的設計環境中。使用萊智科技的CharFlo- Memory!工具組,任何內存編譯器萃取的對象模型都可以實時特性化以確保超優質量與可靠度。當在不同PVT狀況下進行各種假設條件分析,萊智科技的CharFlo- Memory!工具組可自動執行特性化并產生正確的結果。結合萊智科技配套工具組,LSI可輕易驗證改變工藝對內存IP功能與可靠度的影響。

萊智科技總裁兼首席執行官魏游邦先生表示:“嵌入式內存的正確時程與功率量測,無論對于深次微米硅制產的成功或納米系統芯片設計,都是至為攸關的影響。采用萊智科技CharFlo- Memory!工具組,LSI 在內存IP特征確認與模型化領域,已獲得領先解決方案。我們很高興經由與LSI密切合作的機會,提供其所需精確、效率,具成本競爭優勢的內存特性分析服務。””