瑞士Innovative Silicon公司日前披露了一種DRAM基礎技術,這種技術在位單元(bit cell)不再需要存儲電容。

該技術命名為Z-RAM,采用絕緣硅(SOI)晶體管內的浮體效應(floating-body effect )作為存儲機制。據該公司總裁兼CEO Mark-Eric Jones稱,其結果是采用標準SoI CMOS邏輯工藝制造的DRAM單元比相同尺寸的溝道電容DRAM單元占據的面積減少了一半,同時在速度和功率方面比基于電容的DRAM單元有很大的優勢。

該公司已經演示這種技術的單元的讀寫時間在3ns以下。該公司正在開發完全的存儲陣列,用于測試目的。據Jones稱,該技術的最初應用可能是系統級IC上的嵌入式DRAM。因為Z-RAM位單元不需要改變工藝,在芯片上嵌入大量的Z-RAM不存在本質上的成本差異。這樣的存儲器足夠快,可用作多數嵌入式存儲器上的L2高速緩存和高性能處理器上的L3高速緩存。它還可用于傳統的嵌入式DRAM應用,如框架緩存或指令存儲。

Jones表示,溝道電容DRAM日益難于設計,Innovative期望Z-RAM技術也將用于獨立的存儲芯片。公司將采用一種IP業務模式,為客戶提供物理單元設計和存儲編譯器的授權。