臺積電(TSMC)日前宣布使用微米40伏特高電壓工藝技術,為客戶量產手持式薄膜液晶顯示器(TFT LCD)芯片。此項工藝技術為客戶提供系統級芯片(SoC)解決方案,能夠減少先進手持式產品顯示器芯片的數目、縮小基板面積、節(jié)省耗電量以及增加顯像性能。

通過臺積電此項微米工藝技術,芯片設計人員能夠將LCD源極驅動芯片(Source Driver IC)、閘極驅動芯片(Gate Driver IC)以及電源管理芯片整合在一起,以降低顯示器芯片數目,并延長液晶顯示器電池壽命。此外,芯片設計人員也可以選擇開發(fā)更高度整合的系統級芯片,進一步將應用于移動電話高端視頻圖形陣列(Video Graphics Array, VGA)的圖形控制芯片以及薄膜或彩色屏幕驅動芯片整合在一起。

臺積電行銷副總經理胡正大表示:“微米40伏特高電壓、低耗電量制程技術是芯片設計人員期盼已久的突破性工藝技術。隨著臺積電量產此項工藝技術,顯示器芯片將進入一個嶄新的世代?！迸_積電此項工藝具備卓越的隔絕(isolation)技術,能夠高度有效地整合1.8伏特、5伏特以及40伏特三種不同電壓電路。同時,此工藝技術能將噪聲(noise)降至最低,并可以有效避免電路閉鎖(latch up)的問題,以確保器件正常運作并延長器件的壽命。

此項微米40伏特高電壓工藝技術系臺積電微米低耗電量工藝技術的衍生技術,不但與原工藝技術完全兼容,并支持其所有邏輯及模擬硅IP。因此,除了降低耗電量以及減少芯片尺寸大小之外,還能降低客戶設計成本。同時,有鑒于芯片設計人員對于個人手持產品顯示器芯片品質的最佳化的不同需求,臺積電預計于2005年推出顯示器圖像性能一次可編程(one-time programmability, OTP)及多次可編程(multiple-time programmability, MTP)功能的特殊硅IP；使用此兩項特殊硅IP不須增加任何芯片生產工藝步驟。

臺積電同時提供客戶晶圓微米40伏特高壓工藝技術的晶圓共乘(CyberShuttle)服務,供客戶快速及以較低的成本進行芯片驗證及工程樣品芯片試制,并提供客戶包括金凸塊(Gold Bumping)等后端測試服務。