瑞薩科技公司(Renesas Technology)和Sarnoff Europe公司日前宣布簽署協議,瑞薩科技獲Sarnoff授權使用權其TakeCharge技術,IC設計者可以使用這種技術設計片上靜電放電(ESD)保護電路。由于不用耗資、耗時進行新設計,使用這種技術可以加速產品的上市時間,可以加速瑞薩科技采用絕緣硅(SOI)工藝的高級系統LSI器件的開發。

在制造過程中,印刷電路板和LSL器件之間可能產生靜電放電。在印刷電路板上積聚的靜電在LSL器件安裝過程中可能會放電,靜電放電可能在LSL器件內產生過量的電流,從而損壞其內部器件。防止這個問題的一種方法是使用特殊的電路來保護LSL器件的內部組件。在SOI器件中,晶體管在絕緣層的頂部形成。這使得此類器件更容易受到靜電放電的損壞,因此,采取有效的對策比以往顯得更為重要。

瑞薩科技在其塊硅CMOS產品中早就使用了專有的ESD保護技術。但是,隨著小型化的不斷發展,塊硅原料被SOI所取代,尤其是在65nm工藝中更是如此。為加速采用最新技術的高級系統LSL器件的開發工作,在短期內開發可行的ESD保護技術已經成為非常迫切的任務。

來自Sarnoff Europe公司的TakeCharge ESD保護技術可以在短期內實現最優ESD保護電路設計,從而可以在較短的時間內設計和開發新型LSL器件。另外,它可以在更小的表面區域上提供高級ESD保護,從而可以開發更小的芯片。最后,它具有很低的寄生電容,非常適合高速應用。

在這樣的背景下,瑞薩科技與Sarnoff Europe公司簽署協議,在瑞薩科技的SOL產品中使用TakeCharge ESD保護技術,包括90nm和65nm器件。通過使用TakeCharge,瑞薩科技計劃為市場提供具有非常好ESD保護能力的優化、小型SOL產品,同時縮短設計和開發所需的時間。