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      產(chǎn)品分類

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      手機(jī)ESD控制技術(shù)、糾錯方法及補救措施

      發(fā)布日期:2022-07-14 點擊率:83

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      手機(jī)在整個生命周期內(nèi)都處在一個充滿靜電的環(huán)境之中,如果抗靜電釋放(ESD)設(shè)計不好,則可能導(dǎo)致手機(jī)在使用過程中發(fā)生鎖死、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失和不可靠等現(xiàn)象。本文將結(jié)合實際的設(shè)計闡述手機(jī)ESD控制的基本原則和保護(hù)設(shè)計方法,以及產(chǎn)品生產(chǎn)時的補救措施。

      ESD控制技術(shù)

      a 認(rèn)識到所有的電子組件和裝配件都對于ESD破壞敏感;

      b 在沒有適當(dāng)接地情況下避免觸摸敏感組件和裝配件;

      c 除非在一個靜電安全環(huán)境中,應(yīng)該避免運輸、儲藏和搬運靜電敏感組件和裝配件。

      保護(hù)微電子電路組件的主要有效手段是在器件制造時建立保護(hù)回路。設(shè)計保護(hù)回路要在三個要素之間綜合考慮─器件的主要功能、器件制造制約(例如屏蔽水平和材料特性)和器件的位置(ESD控制)。保護(hù)電路對于ESD瞬間的反應(yīng)必須比被保護(hù)的器件迅速。雖然典型的器件保護(hù)可以通過設(shè)計回路獲得,然而沒有器件制造商能夠完全消除ESD破壞問題,因此,還需要附加的保護(hù)措施。

      a 減少回路面積(面積越大,所包含的場流量越大,其感應(yīng)電流越大)。

      b 走線越短越好。

      c PCB接地面積越大越好。

      d 電源與地之間接電容。

      e 器件與靜電源隔離。

      f PCB的接地線需要低阻抗且要有良好的隔離。

      g 所有的組件越近越好。

      h 同一特性器件越近越好。

      i 電源與地越接近越好。手機(jī)ESD控制技術(shù)、糾錯方法及補救措施 - 4

      j 電源、地布局在板中間比在四周好。

      k 存在多組電源和地時,以格子方式連接。

      l 信號線越靠近地線越好。

      m 太長的信號線或電源線必須與地線交錯布置。

      n 在電源和地之間放置高頻旁路電容。

      a 外露金屬容易被ESD擊中,因此金屬本體及延伸至PC板內(nèi)部線路周圍必須隔離2mm以上間隙。

      b 加上尖端放電,吸收靜電(GND銅箔越寬越好,并直接回主地)。

      c 多層板的內(nèi)層同樣需要隔離。

      d 整面的防護(hù):加上金屬接地面。手機(jī)ESD控制技術(shù)、糾錯方法及補救措施 - 5

      a A處為機(jī)構(gòu)設(shè)計加長靜電路徑,防止靜電進(jìn)入。

      b B處在板邊緣設(shè)計一條銅箔,直接連回主地,不可連接其它回路,并適度露銅或取消阻焊,以吸收靜電。

      c C處螺孔設(shè)計原理同B。

      d D機(jī)構(gòu)加上防護(hù)片,防止靜電進(jìn)入。

      a 在源端使用濾波器衰減信號手機(jī)ESD控制技術(shù)、糾錯方法及補救措施 - 6

      b 在接收端使用濾波器衰減信號

      c 增加距離以減少耦合

      d 降低源端和接收端的天線效應(yīng)

      e 90度極性差異

      f 在傳輸與接收端之間使用隔離方式

      g 增加傳輸與接收天線的阻抗以降低磁場耦合

      h 使用均勻、低阻抗參考板使信號一直保持在共模狀態(tài)

      a 外殼的金屬部份需接機(jī)殼地

      b 至少需要與電子器件或電路走線距離以上

      c 若無法接機(jī)殼地時須距離2cm以上手機(jī)ESD控制技術(shù)、糾錯方法及補救措施 - 7

      d 盡量使同屬性電子器件在一起

      e 要有足夠空間,以避免阻礙PCB設(shè)計

      f 所有相連接之金屬材料其EMF差要小于

      g 所有設(shè)計須有另加隔離片的空間

      h 所有孔洞或縫隙不能大于2cm

      i 使用多個小孔取代一個大孔

      j 不可在接機(jī)殼地或靜電敏感組件附近挖孔

      k 使用金屬帶(foil tape)時,必須與機(jī)殼實現(xiàn)電接觸

      h 連接帶需短而寬

      ESD糾錯方法及補救措施

      a. 仔細(xì)觀察實驗現(xiàn)象。注意電弧的放電強度及放電方向,讓ESD放電槍(GUN)從不同方向靠近放電點,觀察現(xiàn)象有何不同,分析靜電是如何進(jìn)入機(jī)身。

      b. 逐漸增加或減少放電電壓,觀察手機(jī)是在哪個電壓區(qū)間發(fā)生失效。例如,在做空氣放電測試時,如果8KV不能通過,向下打6KV、4KV;如果8KV通過,則向上打10KV、12KV、15KV觀察實驗現(xiàn)象。

      c. 畫圖及列表,詳細(xì)記錄實驗現(xiàn)象。畫出手機(jī)正面,反面及側(cè)面示意圖,準(zhǔn)確標(biāo)注放電點,必要處以彩色筆標(biāo)出電弧方向。列表詳細(xì)記錄每一放電點的實驗現(xiàn)象。如某點在某一正負(fù)電壓值放電次數(shù)、失效次數(shù)及每次失效現(xiàn)象,是關(guān)機(jī)、復(fù)位還是LCD顯示不正常,都詳細(xì)記錄以便參考。

      d. 一臺樣機(jī)的現(xiàn)象總是帶有隨機(jī)性,需要對幾臺樣機(jī)進(jìn)行同樣的測試,找出失效的共性現(xiàn)象,以便準(zhǔn)確判斷失效原因。手機(jī)ESD控制技術(shù)、糾錯方法及補救措施 - 9

      e. 根據(jù)實驗現(xiàn)象進(jìn)行分析,判斷失效原因。由于ESD 的失效原因是多種多樣的,所以由一個現(xiàn)象可能分析出幾種不同的原因,其中的某一個或幾個引起手機(jī)ESD失效。這需要工程師進(jìn)行更深一步的分析,針對每一種可能進(jìn)行具體實驗,最終找出失效的真正原因。

      a. 必須做大量的試驗來尋找解決方案,這是一個反復(fù)而枯燥的過程,針對不同的原因采用不同的方法,如露銅吸收靜電、加導(dǎo)電材料釋放靜電、添加防護(hù)墊及防靜電器件等方法,將靜電合理阻擋、疏通或吸收。

      b. 找到解決方案后,必須對此方案進(jìn)行進(jìn)一步的分析,盡量做到經(jīng)濟(jì)并適于量產(chǎn),避免采用昂貴的元器件及在制造過程中采用手工操作。

      本文作者:


      徐濤


      何穎


      ESD工程師


      上海DBTEL實業(yè)有限公司

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