在日本召開的開發者會議上,Rambus公司將展示可以使到內存芯片的傳輸速度達到每秒千兆字節的技術。該公司相信,它的信號傳輸技術將可以替代3D芯片堆疊,而且成本較低。

長期以來,微處理器與外部DRAM之間的延遲一直是制約系統性能的瓶頸。在Rambus負責工程的資深副總裁Kevin Donnelly表示:“由于多核處理器的每個內核運行多個線程,目前內存帶寬需求在急劇增長。”為了解決上述問題,Rambus將展示多內存通道,每個通道的速度是16Gbits/s,速度大約是目前正在開發的單個通道的四倍。預計在東京的開發者會議上,Rambus將展示一款65納米控制器,連接到兩個65納米RAM器件,每個內存芯片的合計吞吐能力高達32Gbytes/s。

Rambus將通過把三種信號技術應用在相對傳統的分立器件上面,來達到上述吞吐能力。上述控制器采用倒晶封裝,而RAM采用引線鍵合封裝。

“我們的目的是展示幾年后就可以實際制造的東西,”Rambus的技術主管Steve Woo表示,“2010或者2011年出現(對每秒千兆字節內存芯片的)需求,并非不切實際。”

“人們想利用通孔技術和芯片堆疊來解決這些問題,但這些方法存在熱問題和其它問題,”Donnelly表示,“如果能夠使用分立元件,而不是通過相對奇特的技術就能達到這么高的信號傳輸速度,肯定在成本方面具有優勢。”

今年三月,IBM宣布將生產一款功率放大器,最多采用100個通孔電極連接到一個電源接地層。IBM聲稱,這是邁向3D堆疊技術的第一步,還將把它用于BlueGene/L超級電腦,連接Power處理器和高速緩存SRAM,從而大大提高CPU與存儲器之間的數據傳輸速度。

有12家以上的公司和研究組在研究穿透硅通孔(through-silicon via,TSV)和相關技術,其中包括爾必達、IMEC、三星和Sematech,以及初創公司Cubic Wafer、Tezzaron、Ziptronix和ZyCube。但分析師表示,該技術仍然不太成熟,而且面臨諸多問題,包括如何為堆疊降溫。

IBM的系統與技術首席科學家Bernie Meyerson在接受采訪時為該技術進行了辯護,稱它在可制造性與開創系統設計新方式方面具有潛力。

Rambus在東京展示其技術時,不會對任何采用Rambus上述技術的產品計劃發表評論。

Donnelly表示:“我們目前沒有尋找合作伙伴。我的工作是開發新技術,我們目前處于為這種技術評估新硅片的早期階段。”