能源短缺的問題，除了“開源”之外，“節流”的潛力也是十分巨大的，而節流的首要措施就是功率半導體的發展及推廣其應用。例如，據權威部門統計，我國用于電機的電能占我國總發電量的60%多。如果全國電機的驅動都采用功率半導體進行變頻調速就可以節能大約1/4到1/3，也就是說可節約全國總發電量的15%至20%。這是多么驚人的數字。

冰箱、空調、洗衣機等都依賴功率半導體變頻調速來節能并舒適化；手機是用功率半導體進行電源管理。功率半導體還是用信息技術改進傳統產業的擔當者，信息電路發出的指令必須經過功率半導體變成功率信號才能帶動電機的使用。當前，用于4C產業的功率半導體已占功率半導體總量的70%多。

晶閘管(在美國稱作可控硅SCR)、柵極可關斷晶閘管(GTO)、雙極功率晶體管(功率BJT，曾用GTR的名稱)以及與之配套的開關速度較慢的功率二極管。這一代功率開關的共同缺點是柵極需要電流驅動，驅動電路技術復雜、功耗大、成本高、使用不便。它們的另一缺點是工作頻率低，所需要的配套電感、電容、變壓器等體積大，從而使得設備笨重，能耗高。80年代國際上功率半導體發展進入一個新的階段，發展出了功率金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(功率VD-MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，立即成為功率半導體器件的主流，因為它們克服了以前的功率半導體器件的缺點。它們的柵極用電壓驅動，驅動電路簡單、成本低、功耗小、易于使用。其次是它們都能在幾十千赫以上的高頻工作，可以非常顯著地降低電力電子設備的體積、重量、制造成本和能耗。

信息化和國家安全都要求我國自主發展功率半導體產業。