onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet
onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet
onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet
onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet

QFET? N 通道 MOSFET，高達(dá) 5.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。
它們通過(guò)降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少通態(tài)損耗，并通過(guò)降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來(lái)減少切換損耗。 通過(guò)使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。