Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
SiGe 射頻雙極晶體管，Infineon
來自 Infineon 的一系列超低噪聲寬帶 NPN 雙極射頻晶體管。 這些異質結雙極性設備采用 Infineon 的硅鍺:碳 (SiGe:C) 材料技術，特別適用于低功耗為關鍵要求的移動應用。 借助典型的高達 65 GHz 傳輸頻率，這些設備用于放大器時可提供高達 10GHz 頻率的高功率增益。 晶體管包括用于 ESD 的內部電路和過度射頻輸入電源保護。
