Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 雙極型晶體管 BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

SiGe 射頻雙極晶體管，Infineon

來自 Infineon 的一系列超低噪聲寬帶 NPN 雙極射頻晶體管。 這些異質(zhì)結(jié)雙極性設(shè)備采用 Infineon 的硅鍺:碳 (SiGe:C) 材料技術(shù)，特別適用于低功耗為關(guān)鍵要求的移動(dòng)應(yīng)用。 借助典型的高達(dá) 65 GHz 傳輸頻率，這些設(shè)備用于放大器時(shí)可提供高達(dá) 10GHz 頻率的高功率增益。 晶體管包括用于 ESD 的內(nèi)部電路和過度射頻輸入電源保護(hù)。