同軸電纜本身具有衰減特性，高頻電磁波在同軸電纜中傳輸時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定量的衰減或損耗。高頻下同軸電纜的衰減有兩種：一種為金屬損耗造成的衰減；另一種為介質(zhì)損耗造成的衰減，頻率超過(guò)幾MHz時(shí)應(yīng)不大于總衰減的1%。電纜中所傳輸電磁波的電壓和電流的振幅值不是一個(gè)常量，而是按指數(shù)曲線(xiàn)e^-ax規(guī)律變化，隨傳輸距離x的增大而衰減，a為同軸電纜的衰減常數(shù)，公式表述比較復(fù)雜，它與傳輸信號(hào)的頻率和同軸電纜的結(jié)構(gòu)參數(shù)等有關(guān)，信號(hào)頻率越低，衰減常數(shù)越小，傳輸距離越近，衰減量越小。

    同軸電纜的衰減指標(biāo)一般是指500 m長(zhǎng)的電纜段的衰減值。當(dāng)用10 MHz的正弦波進(jìn)行測(cè)量時(shí)，它的值不超過(guò)8.5 dB(17 dB/km)；當(dāng)用5 MHz的正弦波進(jìn)行測(cè)量時(shí)，它的值不超過(guò)6.0 dB(12 dB/km)。

    當(dāng)頻率超過(guò)幾十MHz時(shí)，屏蔽層導(dǎo)體表面發(fā)生氧化會(huì)產(chǎn)生一種新的損耗，即視為介質(zhì)損耗。氧化層一般很薄(約幾μm)，頻率低時(shí)(幾MHz以下)，電流透入深度有幾十μm，電流在氧化層部分流通得較小，氧化產(chǎn)生的影響不大，但頻率高于幾十MHz時(shí)，透入深度較小，大部分電流在氧化層傳輸，氧化層的電阻率大于導(dǎo)體，使衰減增大，因此要盡可能避免屏蔽層發(fā)生氧化。

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