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      類型分類:
      科普知識
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      電阻加熱器

      5G承載光模塊白皮書之前傳關鍵光模塊技術方案

      發布日期:2022-10-18 點擊率:87

      2019年1月,IMT-2020(5G)推進組發布“5G承載光模塊白皮書(最終稿)”,白皮書基于5G承載網絡對光模塊的應用需求,結合光模塊技術發展現狀,聚焦研究不同應用場景下的關鍵5G承載光模塊技術方案,分析現有光模塊及核心光電子芯片產業化能力并開展測試評估,提出我國5G承載光模塊技術與產業發展建議。

      業界應進一步合力優化和收斂關鍵技術方案,加速推動5G承載光模塊逐步成熟并規模應用,有力支撐5G商用部署與應用。本篇報道將介紹“5G承載光模塊白皮書”對前傳關鍵光模塊技術方案的分析。

      前傳關鍵光模塊技術方案 — 關鍵詞:灰光、彩光、雙纖雙向、單纖雙向、25G、可調諧(Tunable)

      25Gb/s雙纖雙向灰光模塊

      25Gb/s雙纖雙向灰光模塊的典型傳輸距離包括300m和10km。300m光模塊通常用于基站的塔上塔下互連,10km光模塊主要用于傳輸距離更遠或鏈路損耗更大的AAU與接入機房(站點)之間的光纖直連場景。

      25Gb/s雙纖雙向灰光模塊功能框圖及產品示例如圖3所示。IEEE 802.3cc已完成25GbE單模光纖接口規范,CCSA已啟動國內行業標準化制定工作,預計2019年完成報批。

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      光模塊可采用25G和10G兩種波特率的激光器芯片來實現。25G波特率工業級激光器芯片可靠性要求與量產工藝要求較高,市場供應渠道有限。10G波特率工業級激光器芯片能充分利用成熟的供應鏈,可有效降低光模塊成本,目前業界主要有超頻、PAM4高階調制兩種實現方案,功能框圖分別如圖4和圖5所示。

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      超頻方案包含FP和DFB兩種實現方式。FP激光器方式中,影響傳輸距離的主要因素包括鏈路衰減損耗、碼間干擾(ISI)代價、模式分配噪聲(MPN)代價等,理論上可支持300m以上的傳輸距離。DFB激光器方式中,由于中心波長更靠近G.652光纖零色散點、光譜寬度更窄、以及可忽略模式分配噪聲等,理論上可支持10km以上的傳輸距離。目前基于FP激光器的25Gb/s雙纖雙向300m光模塊已經成熟,基于DFB激光器的25Gb/s雙纖雙向10km光模塊還需進一步完善。PAM4方案采用10G波特率的工業級激光器與光探測器,但在配套IC方面需要更換為線性度更高的激光器驅動和TIA芯片,同時增加25Gb/s NRZ和25Gb/s PAM4相互轉換的DSP芯片。目前已實現10~15km演示試驗,配套芯片仍處于研發階段,綜合成本有待進一步評估。綜上分析,采用10G波特率工業級激光器芯片的25Gb/s光模塊,300m規格可優先采用超頻方案,10km規格超頻方案存在一定技術挑戰;PAM4方案在10km及更長傳輸距離的應用取決于配套芯片的規模效應。

      25Gb/s單纖雙向灰光模塊

      BiDi光模塊具有節省50%的光纖資源、上下行等距可有效保證高精度時間同步等優勢,具體時延對稱性優勢分析詳見本白皮書第四部分,典型傳輸距離10km、15km、20km。25G BiDi的技術方案主要有兩種,一是利用不同波長的波分復用(WDM)實現,二是利用相同(或不同)波長結合環形器的方式實現,如圖6所示。

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      環形器方案對公共端(圖6b中的兩端)反射串擾非常敏感,出纖需要采用具有高回損指標的光纖傾斜端面接口,并對實際工程使用提出了較高的防塵要求,25Gb/s BiDi光模塊建議優先考慮WDM方案。在波長對選擇上業界主要有 1270nm/1310nm和1270nm/1330nm兩種方案,CCSA 25Gb/s BiDi光模塊標準征求意見稿已初步確定1270nm/1330nm波長方案,預計在2019年完成標準制定工作。

      ▌25Gb/s可調諧彩光模塊

      在5G網絡建設初期,前傳將以光纖直驅方式為主,伴隨著高頻組網以及低頻增點等深度覆蓋,為充分利用已有光纖資源或解決光纖資源緊張問題,WDM方式會成為有益補充,其中波長可調諧(Tunable)光模塊是其核心單元。我國牽頭起草發布的ITU-T G.698.4標準(G.Metro)已定義10Gb/s接入型WDM組網和波長無關、無色化實現機制,目前業界正在探討25Gb/s速率的技術方案。25Gb/s波長可調諧光模塊功能框圖如圖7所示。

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      圖7 | 25Gb/s波長可調諧彩光模塊

      根據光源類型及調諧方式的不同,波長可調諧激光器存在多種技術方案,五種最典型的方案對比如表4所示?;谌庸鈻欧植疾祭穹瓷淦?SG-DBR)技術的激光器具有波長可調諧范圍寬、調諧速度快、調制速率高和成本相對較低等優勢,是業界主流技術方案,受專利等限制,國內量產能力有限。目前國內基本具備DBR可調激光器的產業化能力,波長調諧范圍支持10nm量級,一般可滿足20通道@100GHz波長間隔的應用場景。另外,外腔激光器、微機電系統(MEMS) VCSEL、DFB陣列等方案因成本、穩定性、工作帶寬和調諧時間等限制尚在進一步研究中,尚不具備規模產業化能力。

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      100/200Gb/s單纖雙向灰光模塊

      100/200Gb/s BiDi 10km光模塊的技術方案正處于研究階段,典型實現方式包括環形器和WDM兩種,功能框圖如圖8所示。

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      圖8 | 100Gb/s BiDi灰光模塊功能框圖

      100/200Gb/s BiDi光模塊的核心激光器芯片主要由國外廠商提供,目前可支持O波段CWDM(4波)或LWDM(4波)兩種,波長數量有限?,F階段單纖雙向技術的實現方案建議優先采用小型化環形器(圖8 a所示)。后續隨著PAM4技術進一步成熟,2×50Gb/s或1×100Gb/s或將成為下一代100Gb/s光模塊的主流技術方案,采用WDM實現單纖雙向將是更經濟的方式(圖8 b所示)。

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