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      產(chǎn)品分類(lèi)

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      類(lèi)型分類(lèi):
      科普知識(shí)
      數(shù)據(jù)分類(lèi):
      通用RF天線

      過(guò)孔基礎(chǔ)知識(shí)與差分過(guò)孔設(shè)計(jì)

      發(fā)布日期:2022-10-17 點(diǎn)擊率:57

      在一個(gè)高速印刷電路板 (PCB) 中,通孔在降低信號(hào)完整性性能方面一直飽受詬病。然而,過(guò)孔的使用是不可避免的。在標(biāo)準(zhǔn)的電路板上,元器件被放置在頂層,而差分對(duì)的走線在內(nèi)層。內(nèi)層的電磁輻射和對(duì)與對(duì)之間的串?dāng)_較低。必須使用過(guò)孔將電路板平面上的組件與內(nèi)層相連。幸運(yùn)的是,可設(shè)計(jì)出一種透明的過(guò)孔來(lái)最大限度地減少對(duì)性能的影響。

      1. 過(guò)孔結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)知識(shí)

      讓我們從檢查簡(jiǎn)單過(guò)孔中將頂部傳輸線與內(nèi)層相連的元件開(kāi)始。圖1是顯示過(guò)孔結(jié)構(gòu)的3D圖。有四個(gè)基本元件:信號(hào)過(guò)孔、過(guò)孔殘樁、過(guò)孔焊盤(pán)和隔離盤(pán)。

      過(guò)孔是鍍?cè)陔娐钒屙攲优c底層之間的通孔外的金屬圓柱體。信號(hào)過(guò)孔連接不同層上的傳輸線。過(guò)孔殘樁是過(guò)孔上未使用的部分。過(guò)孔焊盤(pán)是圓環(huán)狀墊片,它們將過(guò)孔連接至頂部或內(nèi)部傳輸線。隔離盤(pán)是每個(gè)電源或接地層內(nèi)的環(huán)形空隙,以防止到電源和接地層的短路。

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      圖1:?jiǎn)蝹€(gè)過(guò)孔的3D圖

      2. 過(guò)孔元件的電氣屬性

      如表格1所示,我們來(lái)仔細(xì)看一看每個(gè)過(guò)孔元件的電氣屬性。

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      表1:圖1中顯示的過(guò)孔元件的電氣屬性

      一個(gè)簡(jiǎn)單過(guò)孔是一系列的π型網(wǎng)絡(luò),它由兩個(gè)相鄰層內(nèi)構(gòu)成的電容-電感-電容 (C-L-C) 元件組成。表格2顯示的是過(guò)孔尺寸的影響。

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      表2:過(guò)孔尺寸的直觀影響

      通過(guò)平衡電感寄生電容的 大小,可以設(shè)計(jì)出與傳輸線具有相同特性阻抗的過(guò)孔,從而變得不會(huì)對(duì)電路板運(yùn)行產(chǎn)生特別的影響。還沒(méi)有簡(jiǎn)單的公式可以在過(guò)孔尺寸與C和L元件之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。 3D電磁 (EM) 場(chǎng)解算程序可以根據(jù)PCB布局布線中使用的尺寸來(lái)預(yù)測(cè)結(jié)構(gòu)阻抗。通過(guò)重復(fù)調(diào)整結(jié)構(gòu)尺寸和運(yùn)行3D仿真,可優(yōu)化過(guò)孔尺寸,來(lái)實(shí)現(xiàn)所需阻抗和帶寬要求。

      3. 設(shè)計(jì)一個(gè)透明的差分過(guò)孔

      在實(shí)現(xiàn)差分對(duì)時(shí),線路A與線路B之間必須高度對(duì)稱。這些對(duì)在同一層內(nèi)走 線,如果需要一個(gè)過(guò)孔,必須在兩條線路的臨近位置上打孔。由于差分對(duì)的兩個(gè)過(guò)孔距離很近,兩個(gè)過(guò)孔共用的一個(gè)橢圓形隔離盤(pán)能夠減少寄生電容,而不是使用兩 個(gè)單獨(dú)的隔離盤(pán)。接地過(guò)孔也被放置在每個(gè)過(guò)孔的旁邊,這樣的話,它們就能夠?yàn)锳和B過(guò)孔提供接地返回路徑。

      圖2顯示的是一個(gè)地-信號(hào)-信號(hào)-地 (GSSG) 差分過(guò)孔結(jié)構(gòu)示例。兩個(gè)相鄰過(guò)孔間的距離被稱為過(guò)孔間距。過(guò)孔間距越小,互耦合電容越多。

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      圖2:使用背面鉆孔的GSSG差分過(guò)孔

      不要忘記,在傳輸速率超過(guò)10Gbps時(shí),過(guò)孔殘樁會(huì)嚴(yán)重影響高速信號(hào)完整性。幸運(yùn)的是,有一種背面鉆孔PCB制造工藝,此工藝可以在未使用的過(guò)孔圓柱上鉆孔。根據(jù)制造工藝公差的不同,背面鉆孔去除了未使用的過(guò)孔金屬,并最大限度地將過(guò)孔殘樁減少到10mil以下。

      3D EM仿真器用來(lái)根據(jù)所需的阻抗和帶寬來(lái)設(shè)計(jì)差分過(guò)孔。這是一個(gè)反復(fù)的過(guò)程。此過(guò)程重復(fù)地調(diào)整過(guò)孔尺寸,并運(yùn)行EM仿真,直到實(shí)現(xiàn)所需的阻抗和帶寬。

      4. 如何驗(yàn)證性能

      圖 2中顯示的差分過(guò)孔設(shè)計(jì)已構(gòu)建完畢并經(jīng)測(cè)試。測(cè)試樣片包括頂層的一對(duì)差分線,之后是到內(nèi)部差分線的差分過(guò)孔,然后第二對(duì)差分過(guò)孔再次連接至頂層的球狀引腳 柵格陣列封裝 (BGA) 接地焊盤(pán)。信號(hào)路徑的總長(zhǎng)度大約為1330mil。我用差分時(shí)域反射儀 (TDR) 測(cè)得其差分阻抗,用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得了帶寬,并用高速示波器測(cè)量了數(shù)據(jù)眼圖來(lái)了解其對(duì)信號(hào)的影響。圖3,4,5分別顯示了阻抗、帶寬和眼圖。左圖是使用背面 鉆孔時(shí)的測(cè)試結(jié)果,而右圖是無(wú)背面鉆孔的測(cè)試結(jié)果。在圖5中的帶寬波特圖中,我們可以很清楚地看到背面鉆孔對(duì)于在數(shù)據(jù)速率大于10Gbps 的情況下實(shí)現(xiàn)高性能是必不可少的。

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      圖3:TDR阻抗波特圖(左:使用背面鉆孔,ZDIFF大約為85Ω;右:無(wú)背面鉆孔,ZDIFF大約為58Ω)

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      圖4:頻率響應(yīng)(左:12.5GHz時(shí)的插入損耗大約為3dB ;右:12.5GHz時(shí)的插入損耗大于8dB)

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      圖5:25Gbps時(shí)的數(shù)據(jù)眼圖(左:使用背面鉆孔時(shí),數(shù)據(jù)眼是打開(kāi)的;右:無(wú)背面鉆孔時(shí),數(shù)據(jù)眼是關(guān)閉的。)

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