目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點，對提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。

　　1.靈敏度

　　雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的小門極電流IGT是有區(qū)別的。

　　2.可控硅過載的保護(hù)

　　可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

　　（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；

　　（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按電流的1.5~2倍來取；

　　（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和吸收電路加以抑制。

　　3.控制大電感負(fù)載時的干擾電網(wǎng)和自干擾的避免

　　可控硅元件控制大電感負(fù)載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓，這個電壓通過的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點是一個很強(qiáng)的噪聲源。