<rt id="m4md3"></rt>
  • <bdo id="m4md3"><meter id="m4md3"></meter></bdo>
  • <label id="m4md3"></label>
      <center id="m4md3"><optgroup id="m4md3"></optgroup></center>
      產品分類

      當前位置: 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > MOSFET

      類型分類:
      科普知識
      數據分類:
      MOSFET

      雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET

      發布日期:2022-10-09 點擊率:21

      【導讀】雙向功率轉換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關鍵部件。碳化硅開關能夠實現先前技術無法達到的效率水平。

       

      摘要

       

      雙向功率轉換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關鍵部件。碳化硅開關能夠實現先前技術無法達到的效率水平。

       

      太陽能和風能等可再生能源的存儲越來越重要,而電池則是一種實用的儲能解決方案。在電動汽車(EV)市場的驅動下,電池可用于從公用事業到家庭等任何規模場景應用,成本也在不斷下降 。此外,雖然基于碳的 礦物燃料仍在繼續使用,但 電池電能可有效地反饋 到電網中,能夠 為更可靠和更具成本效益地供應電能 提供“調峰”作用,并可為家庭或工業消費者提供資金返現。在這種情況下,需要一個雙向功率轉換器,能夠從交流電 或可再生能源為電池充電,或者在本地負載較輕或沒有本地負載時將能量“饋入”回交流線路 。 EV 電池也可以包含在此項應用。

       

      雙向轉換器效率是關鍵

       

      雙向轉換器的效率顯然是太陽能等系統有效性和投資回報的關鍵。現在,功率轉換器中單級實現 99% 以上的效率很常見,但雙向轉換器更難以優化其正向和反向能量流。幸運的是,當 MOSFET 用于開關和同步整流器 時,它們通??梢耘渲脼殡p向。圖 1 顯示了雙向電池充電器/逆變器的示意圖,其左右對稱性應該很明顯,能量流方向由 MOSFET 驅動裝置 控制。

       

      雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
      圖 1:橋式布局中 MOSFET  用作雙向功率轉換器。

       

      圖中所示功率因數校正級是一個典型“無橋圖騰柱”類型,它在中等功率或更高交錯功率水平下最佳 ,但其效率受到兩個 MOSFET 的體二極管限制,這些體二極管在交流電源的交替極性上充當升壓二極管 。對于低傳導損耗 ,電路在連續傳導模式下“硬開關” ,電荷在 MOSFET 通道導通和關斷狀態之間的死區時間內存儲在體二極管中 。每個周期恢復這種電荷會導致功率損耗和 EMI,在使用硅 MOSFET 時,這種影響可能會很嚴重。如果 MOSFET 的輸出電荷 QOSS 很高,并且 每個周期都必須對其進行充電和 放電,那么也會產生過多的功率損耗。

       

      圖 1 中所示,DC-DC為諧振“移相全橋(PSFB)”型,不受體二極管反向恢復的影響,除非可能在啟動、關閉或負載階躍時發生的瞬態 。然而,該轉換器也可能受到高 QOSS 值的影響,使得諧振操作 難以在所有條件下保持。高 QOSS 值還會強制達到最小死區時間 ,進而限制了高頻工作。

       

      SiC MOSFET 能夠解決這些問題

       

      上面討論的問題在很大程度上可通過使用碳化硅 (SiC) MOSFET 得到解決。其反向恢復電荷約為同類 si-MOSFET 值的 20%,而 QOSS 約為六分之一。例如,英飛凌的650V CoolSiCTM SiC MOSFET(IMZA65R048M1H)  具有 125nC 的電荷,而基于硅的 600V CoolMOSTM CFD7 超級結 MOSFET(IPW60R070CFD7)  的電荷為 570nC,具有相似的導通電阻。 

       

      使用 SiC MOSFET 時, 輸出電容和由此產生的 QOSS 變化要小很多。圖 2 表明 IMZA65R048M1H CoolSiCTM MOSFET 在低漏極電壓和高漏極電壓之間變化  10 倍,但超級結 硅MOSFET 的數值接近變化  8000 倍。高電壓下 SiC 的 非零值可能是一個優勢,因為它有助于減少漏極上的電壓過沖,否則將需要高柵極電阻值,從而降低可控性。

       

      雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET

      圖 2:與硅器件相比,SiC 器件輸出電容隨漏極電壓的變化要小很多。

       

      參考設計展示了 SiC 的優勢

       

      英飛凌參考設計(eval_3K3W_TP_PFC_SIC)  [1](見圖 3)展示了 SiC MOSFET 在雙向 3.3 kW 圖騰柱 PFC 級 中的性能,實現了 73 W/in3 (4.7 W/cm3) 的功率密度,在 230VAC 輸入和 400VDC 輸出下的峰值效率為 99.1%。在逆變器模式下,效率峰值為 98.8%。使用英飛凌 XMCTM 系列微控制器能夠進行全數字控制 。

       

      雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET

      圖 3:英飛凌采用 SiC MOSFET的高效、雙向、圖騰柱 PFC 級 演示板。

       

      結論

       

      CoolSiCTM MOSFET在雙向轉換器中具有明顯的優勢,英飛凌能夠以分立和模塊形式提供這些產品,以及一系列互補 使用的 EiceDRIVERTM 柵極驅動器。還可提供電流感測  IC和用于數字控制的微控制器。

       

      參考文獻

       

      [1]  采用650V CoolSiCTM和 XMCTM 的3300W CCM 雙向圖騰柱,英飛凌應用筆記,AN_1911_PL52_1912_141352

       

       

      免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請電話或者郵箱聯系小編進行侵刪。

       

       

      推薦閱讀:
      風電智慧運維,一切盡在掌控
      博彥科技:金融機構數字化轉型的核心是數據驅動業務
      【技術大咖測試系列】之六:曲線追蹤儀與I-V曲線追蹤儀
      電流檢測電路
      安森美的智能技術賦能記憶科技下一代服務器的每一個節點

      下一篇: PLC、DCS、FCS三大控

      上一篇: 貿澤電子新品推薦:20

      推薦產品

      更多
      主站蜘蛛池模板: 香蕉久久综合精品首页| 亚洲sss综合天堂久久久| 制服丝袜人妻综合第一页 | 国产综合在线观看| 久久青青草原综合伊人| 天天综合天天综合色在线| 亚洲综合伊人久久综合| 91精品国产综合久久久久| 丁香五月综合缴情综合| 亚洲狠狠爱综合影院婷婷| 亚洲欧洲自拍拍偷综合| 丁香五月亚洲综合深深爱| 久久狠狠爱亚洲综合影院| 色综合天天综合网国产国产人 | 久久久综合香蕉尹人综合网| 久久久久久综合一区中文字幕| 国产精品无码久久综合网| 亚洲av日韩av综合| 久久香蕉综合色一综合色88| 综合色就爱涩涩涩综合婷婷 | 国产激情综合在线观看| 亚洲a∨国产av综合av下载| 亚洲精品综合一二三区在线| 综合久久国产九一剧情麻豆| 伊人久久成人成综合网222| 狠狠色狠狠色很很综合很久久 | 国产成人综合野草| 色欲久久久久久综合网精品| 色天使亚洲综合在线观看| 国产精品综合AV一区二区国产馆| 一本大道加勒比久久综合| 九月丁香婷婷亚洲综合色| 国产综合一区二区| 亚洲精品天天影视综合网| 色综合久久综精品| 色成年激情久久综合| 天天做天天做天天综合网| 久久综合伊人77777| 亚洲综合日韩中文字幕v在线| 国产精品天天影视久久综合网| 小说区综合区首页|