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在中國(guó)深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開(kāi)關(guān)嗎？”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò)，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻R_DS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，R_DS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm²) （參見(jiàn)圖1），是專為諸如信息娛樂(lè)系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用情況設(shè)計(jì)的。

圖1：CSD18541F5l與網(wǎng)格陣列封裝

相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm²) 封裝（參見(jiàn)圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一左右。它還意味著不僅R_DS(ON)降低，還實(shí)現(xiàn)了占位面積大幅減小的優(yōu)點(diǎn)，面積比傳統(tǒng)MOSFET減小了75%。

圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝

和這位工程師做了一些快速計(jì)算，我們的結(jié)論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件，他就能節(jié)省大約55mm²占位面積——每個(gè)元件的節(jié)省量并不顯著，通常被大多數(shù)工程師認(rèn)為是事后才會(huì)想到的事。那么焊盤(pán)間距情況如何呢？幸運(yùn)的是，這個(gè)微型LGA封裝在設(shè)計(jì)中還考慮了業(yè)內(nèi)客戶的需求，對(duì)他們來(lái)說(shuō)，似乎一致認(rèn)為0.5mm是兩個(gè)焊盤(pán)之間的首選最小間距。

如今，我在行業(yè)市場(chǎng)遇見(jiàn)的每個(gè)人，無(wú)論是生產(chǎn)電源、電池保護(hù)裝置還是電動(dòng)工具，幾乎都對(duì)尺寸變小或性能提升（或兩個(gè)特點(diǎn)兼具）的負(fù)載開(kāi)關(guān)有些興趣。

因此，如果您的工業(yè)設(shè)計(jì)需要使用不少的SOT-23或更大的負(fù)載開(kāi)關(guān)，請(qǐng)考慮選擇我們的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB會(huì)在稍后感謝您。

其他信息

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原文鏈接：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/20/shrink-your-industrial-footprint-with-new-60v-femtofets