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      產(chǎn)品分類

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      類型分類:
      科普知識
      數(shù)據(jù)分類:
      直流斷路器

      直流斷路器工況中IGBT的關(guān)斷特性測試與分析

      發(fā)布日期:2022-07-24 點擊率:71

      引言

      柔性直流輸電技術(shù)為大規(guī)模可再生能源的接入提供了有效解決方案,是目前較為先進的輸電技術(shù)。由于柔性直流輸電系統(tǒng)的弱阻尼特性,單獨依靠換流器無法有效切除故障,需要具有快速分斷能力的直流斷路器實現(xiàn)故障的隔離與清除。

      絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartransistors,IGBT)具有良好的關(guān)斷特性,是直流斷路器實現(xiàn)故障電流關(guān)斷所采用的核心器件。IGBT的關(guān)斷特性對于斷路器的性能有著重要影響,而目前對此相關(guān)研究尚不充分。

      在上述背景下,本文分析了直流斷路器用IGBT的工作特征,搭建了器件動態(tài)特性測試系統(tǒng),針對直流斷路器應(yīng)用工況,對IGBT進行大電流關(guān)斷測試,并基于實測數(shù)據(jù)對器件工作特性進行分析,對直流斷路器工況中的IGBT應(yīng)用做出指導。

      1直流斷路器用IGBT工作特征分析

      直流斷路器工況對于IGBT而言是一個相對特殊的應(yīng)用工況。斷路器用IGBT往往需要關(guān)斷上升時間為毫秒級別且峰值為額定值數(shù)倍的大電流,且一般只在柔性直流電網(wǎng)中斷路器進行整機分斷時工作,無需短時間內(nèi)進行周期性開關(guān)。斷路器用IGBT工作特征如圖1所示。

      如圖1所示,直流斷路器需要IGBT的大電流關(guān)斷能力,同時IGBT關(guān)斷大電流時電流下降速率較快,在雜散電感作用下,較快的電流變化率往往帶來較高的電壓過沖,考驗著器件及其結(jié)構(gòu)的絕緣能力。搭建相關(guān)測試系統(tǒng)并進行試驗測試是獲取器件關(guān)斷特性的必要方法。

      2測試系統(tǒng)搭建

      為使測試貼合直流斷路器用IGBT的實際工況,在測試中用電容器與一感性負載配合,通過電路的零輸入響應(yīng)來產(chǎn)生測試電流。測試電路拓撲結(jié)構(gòu)如圖2所示,其中C為電容器,L為電抗器,二極管D在被測IGBT進入關(guān)斷過程后為感性負載提供電流通路,IGBT為被測器件,D1為器件自帶的反并聯(lián)二極管。試驗前給電容器C預充電,然后觸發(fā)被測器件,電流流經(jīng)感性負載L并在被測器件中上升,經(jīng)預定延遲后向被測器件施加關(guān)斷信號。目前千安級別的IGBT均是由數(shù)十個小額定電流值的IGBT芯片并聯(lián)而成,芯片的關(guān)斷特性顯著影響器件的關(guān)斷行為。現(xiàn)選取英飛凌公司由少量IGBT芯片組成的FF100R12RT4型號器件(圖3)進行測試研究,其額定電流值為100A,額定電壓值為1.2kV。

      3測試結(jié)果

      如前文所述,斷路器用IGBT往往需要關(guān)斷上升時間為毫秒級別且峰值為額定值數(shù)倍的大電流,故對被測器件分別進行額定值之內(nèi)及明顯超出額定值的電流進行關(guān)斷試驗,以便比較分析。測試波形如圖4所示。

      圖4IGBT分別關(guān)斷額定值以下(第1組)及接近額定值3倍(第2組)的電流波形

      4IGBT關(guān)斷特性分析

      4.1IGBT大電流關(guān)斷能力分析

      目前絕大多數(shù)商用IGBT數(shù)據(jù)手冊中反向安全工作區(qū)給出的關(guān)斷電流上限均是額定值的2倍。由圖4可知,被測器件正常關(guān)斷電流約為300A,即約3倍于額定值的大電流,未發(fā)生關(guān)斷失效問題。部分原因可以被理解為:器件數(shù)據(jù)手冊中給出的電D上限是考慮IGBT周期性開關(guān)工況的,而IGBT的單次關(guān)斷能力往往更強。這也表明直D斷路器工況中的器件安全工作電D上限仍需更深入認知。充分利用IGBT的大電D處理能力,對于兼顧直D斷路器的可靠性及經(jīng)濟性有著重要意義。

      4.2IGBT關(guān)斷電壓沖擊分析

      由電路原理可知,電路結(jié)構(gòu)的雜散電感與電D變化率的乘積為雜散電感兩端電壓,在IGBT關(guān)斷過程中,一般體現(xiàn)為電壓沖擊,與電源或母線電壓疊加后出現(xiàn)電壓尖峰。對比圖4可知,本文所研究的同一個被測器件IGBT,在相同的測試電路結(jié)構(gòu)中,關(guān)斷小于額定值的電D時產(chǎn)生的電壓尖峰值在150~200V,而關(guān)斷約3倍于額定值的電D時產(chǎn)生的電壓尖峰值在400V以上。這表明較大的關(guān)斷電D可能引起較高的電壓沖擊,在考察IGBT電D處理能力時也需要考慮器件的絕緣耐壓要求。通過IGBT驅(qū)動參數(shù)的配置,降低器件關(guān)斷過程中電D變化率,或降低相關(guān)電路結(jié)構(gòu)的雜散電感值,均是可以考慮的降低關(guān)斷電壓沖擊的方法。

      5結(jié)語

      本文分析了直D斷路器用IGBT的工作特征,搭建了器件動態(tài)特性測試系統(tǒng),針對直D斷路器應(yīng)用工況,對IGBT進行了大電D關(guān)斷測試,并基于實測數(shù)據(jù)指出了直D斷路器工況下IGBT的電D關(guān)斷上限高于目前商用IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的限值,同時提出了可以從優(yōu)化驅(qū)動參數(shù)及降低雜散電感值等方面來降低IGBT的關(guān)斷電壓沖擊,為直D斷路器用IGBT的應(yīng)用提供了參考。

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