只讀存儲(chǔ)器（ROM）的信息在制作時(shí)或經(jīng)過必定的編程辦法寫入，在體系中通常只能讀出不能寫入。在斷電時(shí)，其信息不會(huì)扔掉，它用來寄存固定的程序及數(shù)據(jù)，如監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。
　　只讀存儲(chǔ)器能夠分為掩膜式ROM、一次性編程PROM、可重復(fù)編程的則有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
　　掩膜式ROM也稱固定ROM。它是由半導(dǎo)體出產(chǎn)廠根據(jù)用戶的懇求，在出產(chǎn)進(jìn)程中根據(jù)用戶供給的程序或數(shù)據(jù)制作。制成往后，用戶只能讀出其信息而不能加以批改。它適用于定型商品的批量出產(chǎn)。
　　一次性編程PROM可供用戶經(jīng)過編程器寫入一次程序或數(shù)據(jù)。寫入往后其內(nèi)容不容許批改。這么用戶可自即將無須批改的程序或數(shù)據(jù)寫入 ROM，如寫入后發(fā)現(xiàn)其內(nèi)容還需批改，只能將此芯片作廢，從頭取用一片新的。它適用于批量較小的場合。
　　EPROM是一種運(yùn)用光擦除的能夠重復(fù)擦、寫的只讀存儲(chǔ)器。用戶可經(jīng)過編程器寫入程序。當(dāng)需求批改時(shí)，可用紫外光經(jīng)過芯片上的石英玻璃窗照耀芯片15～20分鐘，將芯片內(nèi)的信息悉數(shù)擦除。此刻悉數(shù)單元的內(nèi)容均為"1"。用戶可將其再次寫入信息。EPROM運(yùn)用比照活絡(luò)，當(dāng)用戶寫入一程序后發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)需批改時(shí)，能夠?qū)⑵鋬?nèi)容擦去后再次寫入。它在科研及小批量出產(chǎn)進(jìn)程中運(yùn)用較遍及。
　　EPROM的擦或?qū)懢鑼Ｓ迷O(shè)備。即便要批改一個(gè)數(shù)據(jù)也有必要將芯片從體系中拆下，把信息悉數(shù)擦除后再次從頭寫入。而在實(shí)習(xí)運(yùn)用中，通常只懇求批改一個(gè)或少量幾個(gè)數(shù)據(jù)。EEPROM和Flash Memory在這方面顯現(xiàn)了其優(yōu)勝性，是如今用得較多的大容量只讀存儲(chǔ)器。與光擦除的EPROM紛歧樣的是，它選用了電擦除的辦法，而編程也無須經(jīng)過專用的編程器進(jìn)行，可在運(yùn)用體系中直接編程。在寫入的一同即擦除了原有的信息，通常在器材的內(nèi)部發(fā)作編程所需的高電壓，用戶只需5V的電壓即可對(duì)其進(jìn)行操作。
　　E2PROM的數(shù)據(jù)讀出相似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出，數(shù)據(jù)寫入分為字節(jié)寫入和頁寫入兩種辦法。在器材內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁寄存器，容許最多寫入64個(gè)字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)。寫入操作包含數(shù)據(jù)鎖存和編程2個(gè)進(jìn)程，寫周期最大為10ms。在寫入操作的一同，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
　　Flash Memory的數(shù)據(jù)讀出相似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出。數(shù)據(jù)寫入為頁寫入辦法。在器材內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁寄存器，懇求一次寫入64個(gè)字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)，寫入操作包含數(shù)據(jù)鎖存和編程2個(gè)進(jìn)程，寫周期最大為10ms。在編程時(shí)，一頁中未裝入的數(shù)據(jù)將為不斷定數(shù)據(jù)。在寫入操作的一同，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。