在我們很多工業(yè)及消費類電子產(chǎn)品應(yīng)用中，使用開關(guān)電源系統(tǒng)供電可以減小體積；對于電源的輸出負載主要是繼電器及MCU等簡單的控制系統(tǒng)；追求小體積電源系統(tǒng)簡單可靠在應(yīng)用中越來越廣泛！特別是物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的應(yīng)用，同時開關(guān)電源供電系統(tǒng)的集成度已非常高，好的設(shè)計和選擇非常重要；為了做到應(yīng)用時應(yīng)對系統(tǒng)EMC的要求提供我前期的實際工作設(shè)計案例，分享給電子設(shè)計愛好者參考！

1．  小功率電源系統(tǒng)LNK564PN改善EMI的原理設(shè)計參考方案如下：

1．  客戶在實際使用時測試的超標頻段及頻點范圍如下：

①  30MHZ－40MHZ的頻點范圍 超標5dB左右

②  200HZ－300MHZ的頻段范圍且是時鐘的倍頻

2．  通過數(shù)據(jù)調(diào)試確認輻射發(fā)射的位置及器件。

①  30MHZ－100MHZ的頻點范圍如果是開關(guān)電源其相關(guān)的器件位置為：

現(xiàn)將各個頻段的干擾形式及狀態(tài)總結(jié)如下：

1MHZ以內(nèi)－－－－以差模干擾為主，增大X 電容就可解決；

1MHZ－5MHZ－－－差模共模混合，采用輸入端并一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并解決；

5M－－－以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法．對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減；

30－－－50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動電阻，RCD優(yōu)化緩沖吸收電路；對于集成MOS的方案設(shè)計，建議在MOS的D＆S間并聯(lián)＜220pF的電容會有較好的改善，注意IC的溫升問題！！

50－－－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起，可以在整流管上串磁珠，增加RC吸收電路等措施；

注意：對于小功率開關(guān)電源的輻射一般只會影響到100MHZ 以下的頻段．也可以在MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會有所降低！

②  200MHZ－300MHZ對于是時鐘的倍頻則處理按時鐘的標準電路原理進行處理

3．  在電路中增加器件進行的改善處理及實際結(jié)果情況分析：

①  更改電路中的RCD吸收電路R和C效果不明顯

②  RCD吸收回路中D上套磁珠效果不明顯

③  輸出二極管UF4005上套磁珠效果不明顯

④  在LNK564PN的D與S腳增加101／1KV電容效果不明顯

⑤  電感L1上并聯(lián)1K的電阻30MHZ－40MHZ的超標的點幅度降低

⑥  將電感L1直接用屏蔽材料包裹，30M－40MHZ的輻射超標點通過

⑦  將時鐘和晶振電路進行RC處理及更改PCB后測試通過。

4．  晶振問題及開關(guān)電源系統(tǒng)的高頻EMI－輻射問題改善措施方案如下：

①  將電感L1更改為屏蔽電感。30MHZ－40MHZ的頻段測試通過。

②  無源晶振的標準設(shè)計方案

①  時鐘電路的EMC設(shè)計方案

6．總結(jié)

按照上述的測試過程處理后LNK564PN系統(tǒng)方案的輻射測試通過！對于較小功率電源系統(tǒng)方案，如果有EMI的問題可嘗試用以上的思路來解決平常項目中的問題！

更多技術(shù)設(shè)計應(yīng)用及技術(shù)交流；請關(guān)注公眾號

《電子產(chǎn)品：開關(guān)電源的設(shè)計與分析》

《電子產(chǎn)品：EFT的設(shè)計與分析》

《電子產(chǎn)品：雷擊浪涌的設(shè)計與分析》

《電控板高級EMC設(shè)計與分析！》

《電控板器件級電磁兼容設(shè)計》

如需了解更多應(yīng)用細節(jié) ＆ EMC相關(guān)－6大設(shè)計系列：