本文主要研究了導(dǎo)致組件CTM損失的可能因素，重點(diǎn)分析了造成單晶組件和多晶組件CTM差異的原因。光學(xué)損失和B-O復(fù)合之間的差異決定了多晶組件的CTM損失要少于單晶組件，對(duì)于硼氧復(fù)合損失可以想辦法改善，但對(duì)于光學(xué)損失的差異，針對(duì)單晶沒有更好的解決方法。

　　隨著光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，使晶體硅太陽(yáng)電池及其組件成為研究的熱點(diǎn)，以實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)電池組件效益的最大化。電池封裝為組件不僅可以使電池的電壓、電流和輸出功率得到保證，而且還可以保護(hù)電池不受環(huán)境損害和機(jī)械損傷。晶體硅太陽(yáng)電池經(jīng)過(guò)封裝為組件后，組件的功率（實(shí)際功率）與所有電池片的功率之和（理論功率）的差值，稱為組件封裝功率損失，其計(jì)算公式為：組件功率損失=（理論功率-實(shí)際功率）/理論功率。

　　通常我們使用組件輸出功率與電池片功率總和的百分比（Cell To Module簡(jiǎn)稱CTM值）表示組件功率損失的程度，CTM值越高表示組件封裝功率損失的程度越小。如果CTM值較低，組件的輸出功率有可能達(dá)不到預(yù)期的要求，遭到客戶的投訴，最終造成經(jīng)濟(jì)效益的損失。

    與此相反，如果可以提高CTM值，組件的輸出功率的增加會(huì)提高公司組件產(chǎn)品的收益，已達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。在組件產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)單晶組件和多晶組件的CTM差別比較大。在組件生產(chǎn)工序完全一致的情況下，單晶組件CTM損失要高于多晶組件，本文主要針對(duì)單晶和多晶組件CTM的差異性進(jìn)行研究，解釋單多晶組件CTM不同的內(nèi)在原因。

　　1、組件CTM影響因素

　　影響CTM的因素很多，包括：

　　A.光學(xué)損耗：制絨絨面不同引起的光學(xué)反射、玻璃和EVA等引起的反射損失。

　　B.電阻損耗，電池片本身的串聯(lián)電阻損耗、焊帶，匯流條本身的電阻引起的損耗，焊帶不良導(dǎo)致的接觸電阻、接線盒的電阻。

　　C.不同電流的電池片串聯(lián)時(shí)引起的電流失配損失，由于組成組件的各電池片最大工作點(diǎn)電流不匹配造成的失配損失（分檔，低效片混入）。

　　D.熱損耗，組件溫度升高會(huì)引起的輸出功率下降。

　　E.B-O復(fù)合引起的電池片效率衰減，與本征衰退損失。

　　F.組件生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生隱裂或碎片。

　　影響單晶和多晶組件CTM差異的因素主要包括2個(gè)方面，光學(xué)損耗和硼氧復(fù)合損耗。光學(xué)損耗產(chǎn)生的差異主要為單多晶電池產(chǎn)品的制絨工藝是不同的，反射率的差異性比較大；B-O復(fù)合損耗的差異為單多晶原料片生長(zhǎng)工藝不同，單晶原料過(guò)程中引入的硼氧對(duì)要多于多晶原料。本文設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)主要針對(duì)以上兩點(diǎn)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，分析造成單多晶組件CTM差異性的原因。

　　2、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

　　2.1、實(shí)驗(yàn)樣品

　　樣品采集自晶澳電池產(chǎn)線，所用硅片厚度為200μm，電阻率為1-3Ω.cm的單晶和多晶電池片各20片，并且20片單晶電池片為同一個(gè)功率檔位，20片多晶電池片為同一個(gè)功率檔位。