在熔接某些特種光纖亦或是不同種光纖對熔的時候，熔接后的損耗往往不太理想，如果在熔接機的既有模式里面不能找到相對應的模式的話，就需要我們手動進行測試來找到符合自己光纖的最合適的熔接參數，下面我就來介紹一下調整參數的辦法，適用于藤倉的干線熔接機60S，80S，包括最新的61S以及62S。

　　注意點

　　注意①切割角度需要在1°以內進行熔接。

　　注意②進行熔接損耗平均值比較的時候,和平均值有15%以上差距的判斷為變好或者變壞.

　　注意③需要使用新的電極棒。

　　注意④本說明書適用于包層為兩端同樣為125um的光纖進行熔接.

　　注意⑤以本說明書最后的測試方法來測定熔接損耗.

　　Step1放電時間（ArcTime）的最優化

　　Step1-1.放電1時間的設定。

　　(1)放電1時間→1000[ms]

　　(2)放電1時間→2000[ms]

　　(3)放電1時間→3000[ms]

　　(4)放電1時間→4000[ms]

　　(5)放電1時間→5000[ms]

　　在4次多項式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時間T2[ms]，

　　將其設定為放電1時間。

　　Step1-2.放電1時間的最優化。(可能的話最好使用3臺機器進行)

　　①將放電1時間用以下方式進行設定熔接(每種的熔接次數N=5)。

　　(1)放電1時間→T1[ms]

　　(2)放電1時間→T1×0.9[ms]

　　(3)放電1時間→T1×1.1[ms]

　　②在4次多項式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時間T2[ms]，

　　將其設定為放電1時間。

　　Step2較低放電功率下進行熔接

　　通常情況下不需要進行此步驟。

　　日本藤倉只在對80um光纖進行熔接參數設置的時候才會做這一步。

　　或者是在放電時間特別短例如1秒以下，亦或是仍然還需要降低損耗的情況下可以嘗試。

　　將放電功率以20bit為單位下降，然后再次調整放電時間，確認是不是能夠改善損耗。

　　放電時間或者損耗有所改善的話說明STEP2可行。

　　熔接損耗的優劣差別如果達不到15％的話，還是選擇原有的放電功率。(因為弱放電功率的情況下，Prefuse可能不能將光纖端面充分融化，比較容易造成熔接后的纖芯偏移)

　　Step3端面間隔位置（GAPPOS.）的最優化

　　在同種光纖熔接的情況下不需要進行。

　　端面間隔位置用以下的設定來進行熔接實驗測試(每種測試次數N=5)。

　　(1)端面間隔位置→中心(Step1已經得到了數據)

　　(2)端面間隔位置→左-15um＋測試觀察結果

　　(3)端面間隔位置→左-30um＋測試觀察結果

　　(4)端面間隔位置→右-15um＋測試觀察結果

　　(5)端面間隔位置→右-30um＋測試觀察結果

　　選擇熔接損耗最低的作為最優。

　　Step4.光纖預熔時間（PrefuseTime）的最優化

　　一般設定為180ms.

　　MM光纖為240ms（為了對應氣泡的產生設置為長時間）

　　80um光纖為60ms

　　一般以上面3種情況進行選擇就可以，多數情況不需要特意變更。

　　Step5.重疊（Overlap）的最優化

　　一般設定為10um

　　MM光纖為20um（為了對應氣泡預熔時間增長，相應推進量也要增加）

　　MM光纖之外變化基本上沒有什么意義。

　　Step6.聚焦（Focus）的最優化

　　對纖芯對準才有效。

　　如果不能看見纖芯的話就算變化率聚焦量也會切換為包層對準

　　數值的設定量在AUTO以外一般是0.25或0.3．

　　G．657光纖一般使用包層對準

　　纖芯比較小的時候，例如5um的話設置為0.3，

　　一般情況下設置為0.25

　　需要注意的是大多數的情況下，對損耗起到最大影響的是放電時間，對于大多數的光纖只需調整放電時間就可以起到理想的效果。

　　N=30熔接數據測試

　　以之前確定的最佳放電條件參數進行測試(N=30)。

　　用以下圖示的方法進行測試。

　　需要設備

　　(1)LightSource：AgilentHP-8163A、HP-81654A

　　(2)PowerMeter：AgilentHP-8163A、HP-81618A

　　(3)OpticalSensor：AgilentHP-81524A、81624A

　　(4)IntegratingSphere：AgilentHP-81002FF

　　測試方法

　　1.同種光纖熔接

　　2.同種光纖熔接