縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲(chǔ)器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導(dǎo)地位，F(xiàn)RAM只有美國RAMTRON公司一技獨(dú)秀，而采用SRAM+BAKBAT方式的廠家，目前DALLAS占據(jù)了大部分市場空間，國內(nèi)也有幾家公司提供類似產(chǎn)品，其中比較知名的如HK等。以上幾種產(chǎn)品性能方面各有優(yōu)缺，其中EEPROM的市場應(yīng)用范圍最為廣泛，其缺點(diǎn)也是路人皆知，寫入速度慢，至少 10ms的寫等待時(shí)間，而且寫操作次數(shù)有限制；FRAM鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)在于其操作速度很快，能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)SRAM的速度，而且寫操作次數(shù)特別高，最低能夠?qū)崿F(xiàn)100億次的寫操作，但其讀寫時(shí)序與標(biāo)準(zhǔn)SRAM有差別，目前還沒有做到完全兼容；采用SRAM+后備電池是一種傳統(tǒng)而古老的非易失存儲(chǔ)方式，這種方式由于DALLSA的大力推廣又獲得了新生，此方式的優(yōu)點(diǎn)在于芯片能夠與標(biāo)準(zhǔn)的SRAM完全兼容，而且操作速度非常快，但是缺點(diǎn)也是非常明顯的，芯片體積很大，占據(jù)太多的電路板空間，而且芯片內(nèi)部的電池存在使用環(huán)境的限制，并且如果電池電量耗盡，那么所有的數(shù)據(jù)都將丟失。

　　德國ZMD公司研發(fā)了采用另外一種方式的非易失性存儲(chǔ)器nvSRAM，它采用了全新的SRAM+EEPROM方式，實(shí)現(xiàn)無須后備電池的非易失性存儲(chǔ)，芯片接口、時(shí)序等與標(biāo)準(zhǔn)SRAM完全兼容。這樣就方便用戶直接替換DALLAS、HK等公司的同類產(chǎn)品，或者可以方便地將原來電路中的SRAM換成ZMD公司的nvSRAM，而無須更改電路。

　　ZMD公司的nvSRAM有兩種操作模式，SRAM模式與非易失性模式。

　　在SRAM模式中，存儲(chǔ)器可以像普通的靜態(tài)RAM一樣操作，SRAM可以讀寫無限次，且讀寫訪問時(shí)間小于25ns，所有的nvSRAM都是以字節(jié)方式組織的。

　　在非易失性模式中，數(shù)據(jù)從SRAM中保存進(jìn)EEPROM中(STORE操作)，或者從EEPROM回讀至SRAM中(RECALL操作)。STORE和RECALL可能會(huì)按下面的方式開始：

　　1、在系統(tǒng)上電或者下電時(shí)，自動(dòng)開始STORE或者RECALL操作。

　　2、通過軟件序列或者硬件信號(hào)，由用戶控制開始STORE或者RECALL操作。

　　一旦STORE和RECALL周期開始后，SRAM的進(jìn)一步輸入輸出便被禁止，直至周期結(jié)束，片上的STORE和RECALL控制單元控制數(shù)據(jù)在SRAM與EEPROM之間轉(zhuǎn)移。

　　在任何時(shí)間，幾毫秒之內(nèi)SRAM中的數(shù)據(jù)就可以被存儲(chǔ)于EEPROM中，數(shù)據(jù)可以寫進(jìn)EEPROM中至少10萬次，從EEPROM中讀出數(shù)據(jù)至SRAM中的次數(shù)是沒有限制的，nvSRAM保證數(shù)據(jù)從上一次保存周期結(jié)束后可以至少保存45年以上，它保證在芯片調(diào)換時(shí)或者未來電壓突然中斷時(shí)，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。