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      產(chǎn)品分類
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      Toshiba TK65G10N1 MOSFET

      訂 貨 號:TK65G10N1      品牌:東芝_Toshiba

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Toshiba TK65G10N1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 3.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
      低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
      增強(qiáng)模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 136 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 D2PAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 4.5mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 156 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 81 nC @ 10 V
      寬度 10.27mm
      長度 10.35mm
      暫無
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