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      Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIHB30N60AEL-GE3      品牌:Vishay/威世

      庫存數量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

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      Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      FEATURES
      Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
      Low input capacitance (Ciss)
      Reduced switching and conduction losses
      APPLICATIONS
      Server and telecom power supplies
      Switch mode power supplies (SMPS)
      Power factor correction power supplies (PFC)


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 28 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3 + Tab
      最大漏源電阻值 120 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 250 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±30 V
      每片芯片元件數目 1
      寬度 4.83mm
      晶體管材料 Si
      長度 10.67mm
      典型柵極電荷@Vgs 60 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無
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