ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產，該工藝包含屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
有效減少傳導損耗
有效減少驅動器損耗
降低切換噪聲/EMI
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 41.9 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.022. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
