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      產(chǎn)品分類
      分類:

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      +比較

      Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SiSH617DN-T1-GE3      品牌:Vishay/威世

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
      手 機(jī):
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      Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      TrenchFET? power MOSFET


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 35 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 1212
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 20 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.5V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 52 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±25 V
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 10 V 時(shí),39 常閉
      長度 3.15mm
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 3.15mm
      暫無
      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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