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ON Semiconductor SiC 電源系列 MOSFET 采用全新技術(shù),與硅相比,可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外,低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。
最高效
更快的操作頻率
功率密度增加
降低的 EMI
系統(tǒng)尺寸減小
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 142 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.012. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4.3V |
晶體管材料 | SiC |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |