英飛凌 600V N 溝道小信號耗盡型 MOSFET 采用無鉛鍍層，RoHS 合規、滿足 IEC61249-2-21 的無鹵素要求。完全符合 JEDEC 工業應用標準。工業標準資質級別。
系統可靠性高
環保
PCB 空間與節省成本的
額定 dv/dt
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 21 mA |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | PG-SOT23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 700 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.6V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
