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      Infineon IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPDD60R080G7XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

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      公司基本資料信息

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      Infineon IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon 技術引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務器和電信等高功率開關電源應用。現有的高電壓技術 600V cool mos G7 superjunction ( sj )的優勢使凝集與創新的頂部冷卻概念相結合、為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統解決方案、為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。

      提供杰出的 fom rds (接通) x eoss 和 rds (接通) x
      創新的頂部冷卻概念
      內置 4th 引腳 kelvin 源配置和低寄生源 電感
      2 >> 、 000 次循環的 t15000 次循環能力、 符合 MSL1 標準、完全無鉛
      實現最高能效
      板和半導體的熱去耦可克服熱問題 印刷電路板限制
      寄生源電感降低、提高了 e 效率和易用性
      支持更高的功率密度解決方案
      高品質標準


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 83 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 Pg/hdsop
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 10
      最大漏源電阻值 0.08 o
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      每片芯片元件數目 2
      暫無
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