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      Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET

      訂 貨 號:SiR582DP-T1-RE3      品牌:Vishay/威世

      庫存數量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

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      Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET
      產品詳細信息

      這款 Vishay TrenchFET N 溝道功率 MOSFET 的漏極電流為 116 A,用于同步整流、初級側開關、直流/直流轉換器和電機驅動開關。

      極低的 RDS x Qg 品質因數(FOM)
      經過調諧,適合最低的 RDS x Qoss FOM
      100 % Rg 和 UIS 測試


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 116 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 PowerPAK SO-8
      安裝類型 表面貼裝
      暫無
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