Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速開關特性。它主要用于高效直流 - 直流轉換器、開關電壓調節器和電動機驅動器。
低漏 - 源導通電阻 1.0 m ？
存儲溫度 -55°c 至 175 ° c
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOP |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 2.3. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
