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Infineon IRF6708S2TR1PBF MOSFET

訂貨號：IRF6708S2TR1PBF 品牌：IR/國際整流器

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DirectFET? 功率 MOSFET，Infineon

DirectFET? 電源封裝是表面安裝功率 MOSFET 封裝技術(shù)。 DirectFET? MOSFET 是先進切換應用中減少能耗同時縮小設(shè)計印跡的解決方案。

在各個印跡中均具有行業(yè)最低的導通電阻
封裝電阻極低，盡量減少傳導損耗
高效雙面冷卻可顯著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，僅 0.7mm

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	36 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	DirectFET S1
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	4
最大漏源電阻值	14.3 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	2.35V
最小柵閾值電壓	1.35V
最大功率耗散	20 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長度	3.95mm
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	3.95mm
典型柵極電荷@Vgs	6.6 nC @ 4.5 V

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