75 V - 200 V N 溝道 MOSFET，您現在已經邁進世界一流的標準 MOS 產品系列，正尋找 75 V 至 200 V 范圍內的高可靠性 MOSFET 來簡化設計？我們的器件特別適合對空間和功率要求嚴苛的應用，提供極佳的開關性能和領先同類產品的安全工作區 (SOA)。例如，我們的 LFPAK 功率 MOSFET 系列具有超低 RDSon、高速開關和高達 200 V 的電壓額定值。
100 V，N 溝道 Trench MOSFET，N 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術
靜電放電 (ESD) 保護：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅動器
高速線路驅動器
低側負載開關
開關電路
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 1 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | SOT23, TO-236AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 892 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.7V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 寬度 | 1.4mm |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 V 時，4.5 常閉 |
| 長度 | 3mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
