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Infineon IRF1010EPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRF1010EPBF 品牌：IR/國(guó)際整流器

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線(xiàn)封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	84 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類(lèi)型	TO-220AB
安裝類(lèi)型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	12 MΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	200 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	Si
長(zhǎng)度	10.54mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	130 nC @ 10 V
寬度	4.69mm

暫無(wú)

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