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      Infineon IRFL014NTRPBF MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IRFL014NTRPBF        品牌：IR/國際整流器
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場 價：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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              通    訊：     
      
              
      
              主營產品：
              
      
           
      
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               Infineon IRFL014NTRPBF MOSFET
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      N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設備，外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon IRFL014N 是 55V 單 N 通道紅外 MOSFET ，采用 SOT-223 封裝。此設備具有 Advanced 處理技術，可實現每硅區(qū)域極低接通電阻。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            表面安裝
      Advanced 工藝技術
      超低接通電阻 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    2.7 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    55 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    SOT-223
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3+Tab
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    160 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    2V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    2.1 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    長度
                    6.7mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    7 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    3.7mm
                
      
            
        
                  
      
          
      

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