高電子遷移率晶體管(HEMT,也稱為異質(zhì)結(jié)構(gòu)或異質(zhì)結(jié) FET)是結(jié)型 FET,利用兩種材料,具有不同帶隙(即異質(zhì)結(jié)),用作 MOSFET 中替換摻雜區(qū)的通道。 HEMT 晶體管具有良好的高頻率特性且通常用于小信號、低噪聲 RF 應用。
HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此類型晶體管的所有術(shù)語。
pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶體管類型的變型,具有 E-pHEMT 設備,正成為增強模式類型。
一系列 JFET(接線場效應晶體管)和 HEMT/HFET(高電子遷移率晶體管/異質(zhì)結(jié) FET)分立半導體設備。
屬性 | 數(shù)值 |
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封裝類型 | SOT-343 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 725 mW |
引腳數(shù)目 | 4 |