這種 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ? 工藝制造，該工藝經過特別定制，可最大程度地降低電阻，同時保持卓越的開關性能。
最大 RDS (on) =5.8M Ω ， VGS =10V ， ID =13.5A
最大 RDS (on) =8.0M Ω ， VGS = 4.5V ，識別號 =11.8 A
薄型 - 最大功率為 1 mm 33
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 41 W |
| 引腳數目 | 8 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
