此 P 通道 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench ? 技術制造。這種非常高密度的過程特別適合于最大限度地減少狀態電阻和優化，以獲得卓越的交換性能。
最大 RDS (on) =307M Ω ， VGS =-10V ， ID =-2A
最大 RDS (on) =356M Ω ， VGS =-6V ， ID =-1.8A
針對低 QG 優化的極低 RDS (on) 中電壓 P 通道硅技術
針對快速交換應用和負載切換應用進行了優化
應用
工業
便攜式和無線
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | MLP 3.3 x 3.3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 引腳數目 | 8 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
