這些雙路 N 和 P 通道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用專有的高單元密度 DMOS 技術來生產(chǎn)。這種非常高的密度過程特別適合于最大限度地減少狀態(tài)電阻。此器件專為低電壓應用而設計，可替代雙極數(shù)字晶體管和小型信號 MOSFET 。由于不需要偏置電阻器，此雙數(shù)字 FET 可以用不同的偏置電阻值替換多個不同的數(shù)字晶體管。

N-CH
0.50 A ， 25 V
RDS (on) =0.45 Ω @VGS =4.5 伏
RDS(on) =0.60 Ω @VGS =2.7V
P － CH （ P － CH ）
-0.41 A ， -25 V
RDS (on) =1.1 Ω @VGS =-4.5 伏
RDS(on) =1.5 Ω @VGS=-2.7 V
非常小的封裝大綱 SC70-6 。
極低水平門驅動要求，允許在 3V 電路中直接操作 (VGS(TH)< 1.5 V) 。
用于 ESD 堅固性的門源齊納（> 6kV 人體模型）。
應用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應用。