一系列 NXP BISS（小信號的重大突破）低飽和電壓雙 NPN/PNP 雙極結點晶體管。 這些設備具有極低集電極-發射極飽和電壓和高集電極電流容量，采用緊湊的空間節省型封裝。 這些晶體管減少損失，可在用于切換和數字應用時減少熱量的產生并整體提高效率。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | NPN + PNP |
| 最大直流集電極電流 | 6.7 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 2.3 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大集電極-基極電壓 | 60 V |
| 最大發射極-基極電壓 | 5 V |
| 最大工作頻率 | 100 MHz |
| 引腳數目 | 8 |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
