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onsemi NGTB30N120LWG IGBT

訂 貨 號：NGTB30N120LWG      品牌：安森美_Onsemi

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onsemi NGTB30N120LWG IGBT
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IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管 (IGBT)，用于電動機驅動器和其他高電流切換應用。

IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 60 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 1
最大功率耗散 260 W
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
暫無

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