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      產(chǎn)品分類

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      +比較

      Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT

      訂 貨 號(hào):FP75R12KT4BOSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V,總耗散功率為 355 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

      內(nèi)部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
      柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
      集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.15 V
      柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 75 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      晶體管數(shù) 7
      封裝類型 EconoPIM
      暫無(wú)

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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