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      威世 SIA456DJ-T1-GE3 IGBT

      訂 貨 號:SIA456DJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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      威世 SIA456DJ-T1-GE3 IGBT
      產品詳細信息

      Vishay SIA456DJ 是 N 溝道 MOSFET ,具有 200V 的漏極至源電壓 (VDS) 和 16V 的柵極至源電壓 (VGS)。它采用 POWER PAK SC-70 封裝。它在 4.5VGS 時提供 1.38ohm 的漏極到源電阻 (RDS) ,在 2.5VGS 時提供 1.5ohm 的電阻。最大漏極電流 2.6A。

      Trench FET 功率 MOSFET
      熱增強型 Power PAK SC-70 封裝
      占地面積小


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