STMicroelectronics IGBT 采用先進的專利場截止型溝槽柵極結構開發(fā)方法。該器件屬于 H 系列絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，可在傳導和切換損耗之間實現(xiàn)最佳平衡，從而最大程度地提高高切換頻率轉換器的效率。此外，VCE(飽和) 溫度系數(shù)略微偏正且參數(shù)分布非常緊密，可讓并聯(lián)操作更安全。

最大接點溫度 TJ = 175 °C
短路耐受時間 5 μs
在 = 75 A 時，VCE(飽和) = 2.1 V（典型值）
參數(shù)分布緊密
正 VCE(飽和) 溫度系數(shù)
低熱阻
超快恢復反射并聯(lián)二極管