STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進(jìn) Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。

設(shè)計(jì)僅用于軟換向
最大接點(diǎn)溫度： tj = 175 °c
vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 30 a
最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布
低熱阻
低壓降電壓續(xù)流聯(lián)合封裝二極管
正 vce （ sat ）溫度系數(shù)