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      產(chǎn)品分類

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      Infineon IKP08N65H5XKSA1 IGBT

      訂 貨 號:IKP08N65H5XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      Infineon IKP08N65H5XKSA1 IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon TrenchStop IGBT 晶體管,600 和 650V

      一系列 Infineon IGBT 晶體管,集電極-發(fā)射器電壓額定值為 600 和 650V,采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶有集成高速、快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的設(shè)備。

      ? 集電極-發(fā)射器電壓范圍為 600 至 650V
      ? 極低的 VCEsat
      ? 低斷開損耗
      ? 短尾線電流
      ? 低 EMI
      ? 最大接點溫度為 175°C

      IGBT 分立件和模塊,Infineon

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 18 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 650 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 70 W
      封裝類型 TO-220AB
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      開關(guān)速度 1MHz
      晶體管配置
      尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
      暫無

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