為了響應在更小、節(jié)省空間的封裝內(nèi)容納不斷增加的硅數(shù)量的市場要求，Infineon 推出 1200V IGBT 的全新封裝 TO-247PLUS。更高的電流容量，更佳的熱行為。TO-247PLUS 具有與工業(yè)標準 TO-247 相同的外部尺寸，但由于不存在螺釘孔，所以在與全額 75A 二極管一起封裝的 1200V 中允許高達 75A 電流。

高功率密度 - 高達 75 A 1200 V IGBT 與 75 A 二極管一起封裝在 TO-247 封裝中
與 TO-247 3 引腳相比，R th(jh) 降低 20%
擴展的集電極-發(fā)射極引腳爬電距離 4.25 mm
擴展的夾爬電距離（由于該封裝的全包式前面）
更高的系統(tǒng)功率密度 - I C 增加，保持相同的系統(tǒng)熱性能
與 TO-247 相比，TO-247PLUS 的熱阻 R th(jh) 較低，散熱能力提高約 15%
更高的可靠性，延長器件的使用壽命